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通常，次经静电调制的基本原理是将电场施加到任何吸引或驱散电荷的材料上，次经以形成一层电荷积累或耗尽的层，从而改变材料的载流子密度以改变其电子基态尴尬（c）正栅电压下的CoO还原和负栅电压下Co氧化的示意图。

次经（d）皮秒写入脉冲的波形。尴尬功能薄膜化的压电应变调制可通过铁电基板的极化切换获得。次经图二（a）反铁磁性CuMnAs的磁性结构和电流感应开关机制的示意图。

尴尬（b）器件原理图和测量方案。（c）在50至300K的不同温度下的磁阻，次经施加的磁场平行于测量电流。

同时，尴尬作者还对高质量的室温反铁磁隧道结，尴尬反铁磁自旋逻辑器件和人工反铁磁神经元的方面进行了展望，并认为其为反铁磁自旋电子存储器件的商品化、超越互补金属氧化物半导体（CMOS）的小尺寸低能耗新概念逻辑器件和模拟生物神经元系统等提供了研究思路。

次经（d）在0和4kVcm-1的电场下的霍尔效应。交错现象的改变影响了双层膜的曲率，尴尬导致洋葱状囊泡的形成，囊泡可以被多种溶液条件控制。

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次经（d）响应不同溶剂条件的杂化分子之间的相互指代变化及其对洋葱样囊泡生长的影响的示意图。（g-i）对应的0.2mg/mL，尴尬50％水/乙腈条件下获得的AFM图像和轮廓曲线。